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易失性存儲(chǔ)器SRAM基礎(chǔ)知識(shí)
存儲(chǔ)器概況存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體
2020-12-03
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嵌入式STT-MRAM效應(yīng)與流致反轉(zhuǎn)
最初的MRAM都是用微電磁線圈產(chǎn)生電磁場(chǎng)，使自由層的磁矩方向反轉(zhuǎn)來進(jìn)行0、1數(shù)據(jù)的讀寫。這種復(fù)雜的結(jié)構(gòu)大大地制約了MRAM存貯單元的微型化進(jìn)程，因此當(dāng)時(shí)MRAM的存貯密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)不及DRAM和SRAM。
2020-12-02
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訪問SDRAM的低功耗優(yōu)化設(shè)計(jì)方案
為了降低DSP外部SDRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)的功耗,針對(duì)DSP訪問片外SDRAM的功耗來源特點(diǎn),提出了基于總線利用率動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)的讀寫歸并方案。該方案動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)外
2020-12-01
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SRAM的容量擴(kuò)展
通常微處理器的數(shù)據(jù)總線為8位和16位或32位，而地址總線為16位或24位不等。當(dāng)靜態(tài)RAM的地址線和數(shù)據(jù)線不能與微機(jī)相匹配時(shí)，可用地址線擴(kuò)展和
2020-11-30
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SDRAM功耗來源
在現(xiàn)代的通信及基于FPGA的圖像數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中,經(jīng)常要用到大容量和高速度的存儲(chǔ)器。SDRAM有一個(gè)同步接口，在響應(yīng)控制輸入前會(huì)等待一個(gè)時(shí)鐘信
2020-11-27
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如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低
采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢(shì)呢?舉例說明:TI做了一個(gè)實(shí)驗(yàn)，如果要寫13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時(shí)間，大約要用2200uA的功耗去做寫
2020-11-26
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