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非易失性存儲(chǔ)器在人工智能（AI）領(lǐng)域的應(yīng)用
盡管閃存的寫(xiě)入速度相對(duì)較慢，但其容量巨大，因此它被廣泛用作計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)內(nèi)存。與此同時(shí)，新興的存儲(chǔ)技術(shù)以其低功耗、高速度以及幾乎無(wú)
2025-02-20
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技術(shù)創(chuàng)新是MCU市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的核心焦點(diǎn)
在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域，MCU的主要廠商紛紛增加研發(fā)投資，積極探尋新的技術(shù)路徑，并推出性能更卓越、功耗更低的MCU產(chǎn)品。一些廠商開(kāi)始將人工智
2025-02-13
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存儲(chǔ)市場(chǎng)是否正面臨頹勢(shì)？
截至9月底，通用DRAM產(chǎn)品的固定交易價(jià)格環(huán)比下降了17 07%，而上月底的跌幅更是高達(dá)20 59%。自9月份起，NAND閃存價(jià)格也連續(xù)三個(gè)月以兩位
2024-12-17
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全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模迎來(lái)兩位數(shù)增長(zhǎng)
得益于AI技術(shù)推動(dòng)市場(chǎng)需求持續(xù)攀升，2024年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將同比增長(zhǎng)19 0%，達(dá)到6270億美元，而2025年市場(chǎng)規(guī)模有望進(jìn)一步增長(zhǎng)
2024-12-09
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三星和SK海力士的半導(dǎo)體庫(kù)存降低
在人工智能（AI）的推動(dòng)下，對(duì)高附加值DRAM（例如高帶寬內(nèi)存（HBM））的需求激增，導(dǎo)致三星電子和SK海力士的半導(dǎo)體庫(kù)存資產(chǎn)在過(guò)去一年
2024-11-20
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FeRAM和ReRAM探索存儲(chǔ)技術(shù)
FeRAM和 ReRAM代表了非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的兩項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新，旨在提供比傳統(tǒng)存儲(chǔ)解決方案（如 SRAM、DRAM 和 Flash）更高的性能和
2024-11-13
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