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低功耗靜態(tài)存儲器（LOW POWER SRAM） 低功耗SRAM芯片作為靜態(tài)隨機存儲器的一種類別； 特征為功耗低，速度快，一般容量在1/4/8/1616Mbit： 屬于易失性存儲芯片，掉電后數(shù)據(jù)會產(chǎn)生丟失： 主要應(yīng)用于內(nèi)置電池，并對功耗非常敏感的產(chǎn)品，如POS機，手持設(shè)備等：

串行存儲器芯片（Serial SRAM） 串行Serial SRAM為了滿足更小管腳的設(shè)計跟更小PCB板尺寸而衍生出來的一款存儲器; 存儲器在高速性能并非最重要因素的其它存儲器（DRAM、閃存等）中，串行接口已經(jīng)取代了并行接口; 在SRAM市場中一直處于小眾地位，在空間非常有限的特定應(yīng)用中，它們一直是低功耗、小尺寸替代方案;

異步快速存儲器芯片（Async Fast SRAM） 一般來說單片機MCU會采用異步靜態(tài)歲級存儲器， 另外有些以并行方式接口的模擬/數(shù)字I/O器件，如A/D、D/A、開入/開出等，也會采用異步靜態(tài)隨機存儲器， 靜態(tài)隨機存儲器比DRAM快些，并依賴于CPU的時鐘， 存取速度有12ns、15ns和18ns三種，值越小，表示存取數(shù)據(jù)的速度越快。

同步高速存儲器芯片（Sync High Speed SRAM） 同步高速靜態(tài)存儲器是指Memory工作需要步時鐘， 內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲， 而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。 對于SSRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關(guān)。 這一點與異步SRAM不同，異步SRAM的訪問獨立于時鐘，數(shù)　據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。

國產(chǎn)SRAM芯片 XRAM是一款基于TLC DRAM（三態(tài) DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM） 專利技術(shù)而成的新型X型隨機存儲器，可用于替換傳統(tǒng)DRAM和SRAM， 相對比DRAM產(chǎn)品在數(shù)據(jù)讀取速率約快10倍以上， 延時速度10ns,可提供千兆級容量存儲， 可隨時訪問速度不需要刷新機制，在性能上接近于SRAM產(chǎn)品， 并提供SRAM接口便于應(yīng)用設(shè)計。