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SRAM VS DRAM
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SRAM具有較高的性能，功耗較小。SRAM主要用于二級高速緩存。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。但是SR
2021-01-07
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SoC上的內(nèi)存
SoC有基于應用程序的內(nèi)存。這些存儲器是用于計算的半導體存儲器塊。半導體存儲器通常是指在單個硅片上制造的金屬氧化物半導體存儲器單元。
2021-01-06
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EEPROM和FLASH在大多數(shù)應用場合中無法替代SRAM
隨著半導體技術(shù)的飛速發(fā)展,各種存儲器相繼推出,性能不斷提高。眾所周知,普通SRAM在電源掉電后,其中的數(shù)據(jù)隨即消失,再次加電后，存儲器中的
2021-01-05
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用于汽車事件數(shù)據(jù)記錄器中的Cypress非易失性FRAM
Cypress串行非易失性存儲器為關(guān)鍵任務數(shù)據(jù)捕獲提供卓越的性能和可靠性。Excelon鐵電存儲器FRAM系列提供高速非易失性數(shù)據(jù)記錄功能，即使在極
2021-01-04
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家電電動控制MCU
關(guān)于電機控制方案，DSP、MCU和FPGA各有其優(yōu)特點。DSP因為數(shù)據(jù)處理能力強、運算速度快，適用于高端復雜的電機系統(tǒng)控制，但它依賴于軟件算法
2020-12-31
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集各種存儲器優(yōu)異性能于一身的MRAM
MRAM即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱。經(jīng)過10多年不間斷的研發(fā)，全球第一款正式量產(chǎn)并供貨的MRAM芯片型號為MR2A16A，它采用44腳的TSOP封裝，
2020-12-30
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