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Everspin MRAM存儲器MR25H10CDC
MR25H10CDC對于必須使用最少數(shù)量的引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MR25H10CDC是理想的存儲器。
2020-03-04
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ST-MRAM磁隧道結(jié)寫入方式
自旋轉(zhuǎn)移矩依靠電流實現(xiàn)磁化翻轉(zhuǎn)，寫入電流密度大概在106~107A cm2之間，而且寫入電流的大小可隨工藝尺寸的縮小而減小，克服了傳統(tǒng)磁場寫入方式的缺點，因而被廣泛認(rèn)為是實現(xiàn)磁隧道結(jié)的純
2020-03-03
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如何為應(yīng)用選擇合適的DRAM
雖然價格和密度在選擇動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）中起著重要作用，但必須考慮許多其他因素。例如，長期產(chǎn)品支持是許多應(yīng)用程序的關(guān)鍵考慮因
2020-03-02
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基于28nm工藝低電壓SRAM單元電路設(shè)計
基于SMIC 28nm工藝節(jié)點仿真結(jié)果顯示,新型10T單元結(jié)構(gòu)在電源電壓為1 05V時,和傳統(tǒng)6T單元相比,RSNM提升了 2 19倍,WM提升了 2 13倍。同時,在單元讀寫操作時,錯誤率較低。
2020-02-28
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SRAM存儲系統(tǒng)的重要性
近年來SOC(片上系統(tǒng))技術(shù)逐漸成為IC設(shè)計業(yè)界的焦點,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)作為其必不可少的一部分被集成到SOC芯片中,由于高性能SRAM存儲器存在著不可或缺的應(yīng)用,一直是工業(yè)界和學(xué)術(shù)界研究
2020-02-27
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新型非易失性MRAM優(yōu)勢
MRAM（磁性存儲器）是一種非易失性存儲器。MRAM技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機(jī)存儲的高速讀取寫入能力，具有閃存的非易失性，容量密度及使用壽命不輸
2020-02-26
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