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DRAM供不應(yīng)求狀態(tài)延續(xù),主流容量月均價漲近7%
供不應(yīng)求狀態(tài)延續(xù),2月specialty DRAM主流容量月均價漲近7%由于目前三大原廠產(chǎn)能吃緊,DRAM市場仍處供不應(yīng)求情況,整體市況已正式進入上漲
2021-03-10
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everspin代理并口MRAM存儲芯片MR4A16B
MR4A16B是一個16,777,216位磁阻隨機存取存儲器(MRAM)設(shè)備,組織為1,048,576個16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35 ns讀 寫時序,具有無限
2021-03-09
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ISSI代理IS61WV204816ALL高速異步SRAM
ISSIIS61WV204816ALL是高速,32M位靜態(tài)RAM,組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的過程與創(chuàng)新的電路設(shè)
2021-03-08
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Nand Flash六大廠商未來規(guī)劃曝光
展望2021年,集邦咨詢認為第一季度供給端由于三星(Samsung)、長江存儲(YMTC)積極擴產(chǎn)以及各供應(yīng)商均轉(zhuǎn)進更高層數(shù)等影響,位元產(chǎn)出將顯
2021-03-05
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everspin代理256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩STT-MRAM
EMD3D256M08 16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存儲器,在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該設(shè)備能夠以高達1333
2021-03-04
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NOR Flash來自“5G、汽車、工業(yè)”的技術(shù)挑戰(zhàn)
NOR Flash從產(chǎn)品設(shè)計和制造工藝及封測及應(yīng)用來看,相比消費類電子、5G基站、汽車電子和工業(yè)電子更加考驗NOR Flash的綜合實力。5G基站、汽
2021-03-03
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