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everspin代理四路輸出高速1Mb串行SPI MRAM-MR10Q010
Everspin型號(hào)MR10Q010適用于必須使用少量引腳、低功耗和24引腳BGA或16引腳SOIC封裝快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用。QuadSPI模式下的四個(gè)I
2021-12-09
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STT-MRAM以?xún)?yōu)良的性能成為熱門(mén)的候選器件
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本
2021-12-08
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FRAM鐵電存儲(chǔ)器比ADAS的傳統(tǒng)EEPROM擁有更多優(yōu)勢(shì)
過(guò)去幾年，人們對(duì)自動(dòng)駕駛汽車(chē)產(chǎn)生了極大的熱情。這的確在情理之中。自動(dòng)駕駛汽車(chē)有望帶來(lái)影響深遠(yuǎn)的好處：提高燃油效率、縮短行車(chē)時(shí)間、提
2021-12-07
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MCU市場(chǎng)應(yīng)用和競(jìng)爭(zhēng)
現(xiàn)今的MCU已經(jīng)演變成為完整的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)，微處理器內(nèi)核的主頻從4M到200MHz不等;片上模擬模塊包括ADC、運(yùn)放和DAC等;內(nèi)置的存儲(chǔ)器包括Fl
2021-12-06
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ISSI代理帶SQI接口串行SRAM芯片IS62WVS5128FBLL-20NLI
ISSI型號(hào)IS62WVS5128FBLL-20NLI是4M位串行SRAM，ISSI采用低功耗CMOS技術(shù)，位寬8*512K字節(jié)。它是兩個(gè)2Mb串行SRAM的雙芯片堆棧。串行SRAM旨在
2021-12-03
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新一代MRAM放眼更廣泛應(yīng)用
在MRAM這類(lèi)內(nèi)存寫(xiě)入時(shí)，組件的穿隧氧化層會(huì)承受的龐大電壓，使得數(shù)據(jù)的保存、寫(xiě)入耐久性，以及寫(xiě)入速度三者往往不可兼得，必須有所權(quán)衡。這
2021-12-02
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