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國產(chǎn)存儲外部SRAM芯片EMI7064
外部SRAM作為執(zhí)行存儲器為無緩存的CPU工作時表現(xiàn)相對良好。當(dāng)CPU沒有緩存來緩沖其它種類存儲器的高反應(yīng)時間時，外部SRAM的低反映時間特性有
2022-02-11
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SRAM和DRAM的折衷
DRAM芯片不便宜，但更貴的是與DRAM芯片的連接。芯片設(shè)計公司往往注重裸片尺寸，但芯片封裝尺寸也是決定成本的一個重要因素，有時可能比裸片
2022-02-10
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國產(chǎn)SPI SRAM存儲器EMI7064MSMI
我司宇芯電子介紹一款可用于數(shù)據(jù)采集或信號處理過程的緩沖，MCU遠(yuǎn)程升級的數(shù)據(jù)備份和緩存等等的國產(chǎn)SPI SRAM存儲器,EMI7064MSMI是一款具有
2022-01-26
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今年Q1整體Nand Flash價格跌幅收斂至8~13%
據(jù)調(diào)查報告指出，今年Q1整體Nand Flash合約價跌幅較原先預(yù)期的10~15%，收斂至8~13%。這一罕見現(xiàn)象出現(xiàn)的原因，是采購端為規(guī)避物流風(fēng)險，能
2022-01-25
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基于靈動微電子MM32F0133C6P微控制器的OBD診斷儀系統(tǒng)參考方案
已經(jīng)在MCU領(lǐng)域探索10年的靈動微電子在產(chǎn)品磨合上已經(jīng)積累了相當(dāng)?shù)慕?jīng)驗和教訓(xùn)，現(xiàn)正迎來智能家電和汽車電子市場快速增長的發(fā)展機遇。靈動微
2022-01-24
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STT-MRAM寫入速度比讀取速度慢10倍
MRAM是當(dāng)今進(jìn)入商業(yè)生產(chǎn)的眾多非易失性存儲器技術(shù)之一。早期版本，稱為切換 MRAM，已經(jīng)存在了一段時間，最新的商用選項是自旋轉(zhuǎn)移扭矩，或
2022-01-20
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