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汽車導航系統(tǒng)應用富士通FRAM鐵電存儲器MB85R2001
MB85R2001是一種富士通FRAM芯片，由262,144字×8位非易失性存儲單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術創(chuàng)建。能夠保留數(shù)據(jù)
2020-06-24
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靜態(tài)SDRAM和動態(tài)SDRAM的區(qū)別
SDRAM有一個同步接口，在響應控制輸入前會等待一個時鐘信號，這樣就能和計算機的系統(tǒng)總線同步。時鐘被用來驅動一個有限狀態(tài)機，對進入的指
2020-06-23
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國內首次實現(xiàn)晶圓級亞百納米ST-MRAM存儲器件制備
STT代表旋轉傳遞扭矩。在STT-MRAM器件中，電子的自旋使用自旋極化電流翻轉。這種效果是在磁性隧道結（MTJ）或自旋閥中實現(xiàn)的，STT-MRAM設備使用STT隧道結（STT-MTJ）。
2020-06-22
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使用SRAM如何節(jié)省芯片面積
SRAM存儲器是一款不需要刷新電路即能保存它內部存儲數(shù)據(jù)的靜態(tài)隨機存儲器。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則就會出現(xiàn)內部數(shù)據(jù)會消
2020-06-19
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不同類別存儲器基本原理
存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器。易失性存儲器分SRAM和DRAM；非易失性存儲器以Nor-flash和Nand-flash為典型代表。
2020-06-18
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上海靈動微電子授權代理MM32F103C8T6國產(chǎn)32位單片機
靈動微MM32F103C8T6使用高性能的ARM® CortexTM-M3 為內核的32 位微控制器，最高工作頻率可達168MHZ，內置高速存儲器，豐富的增強型I
2020-06-17
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